TSMC หรือ Taiwan Semiconductor Manufacturing Company ผู้ผลิตชิปรายใหญ่ของโลก ได้เปิดเผยรายละเอียดเกี่ยวกับกระบวนการผลิตชิปขนาด 2 นาโนเมตร ซึ่งเป็นหนึ่งในพัฒนาการที่ได้รับการคาดหวังมากที่สุดในตลาด เนื่องจากคาดว่าจะนำมาซึ่งความก้าวหน้าครั้งใหญ่ทั้งในด้านประสิทธิภาพและความประหยัดพลังงาน โดยกระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรนี้คาดว่าจะเริ่มเข้าสู่การผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปี 2025
ข้อมูลล่าสุดที่ได้รับจากการบรรยายของ TSMC ในงาน IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) ที่ซานฟรานซิสโก ชี้ให้เห็นถึงศักยภาพของเทคโนโลยี 2 นาโนเมตร โดย “แผ่นนาโน” ขนาด 2 นาโนเมตรเป็นหัวใจสำคัญของการบรรยายครั้งนี้ ซึ่งแสดงให้เห็นถึงการปรับปรุงประสิทธิภาพเมื่อเทียบกับกระบวนการผลิตรุ่นก่อนๆ อย่างชัดเจน
การเปิดเผยข้อมูลครั้งนี้ตอกย้ำความมุ่งมั่นของ TSMC ในการเป็นผู้นำด้านเทคโนโลยีการผลิตชิป โดยกระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรนี้ไม่เพียงแต่จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ แต่ยังจะช่วยลดการใช้พลังงาน ซึ่งเป็นปัจจัยสำคัญในการพัฒนาอุปกรณ์ที่ยั่งยืนยิ่งขึ้น การพัฒนาเทคโนโลยี 2 นาโนเมตรนี้จึงถือเป็นก้าวสำคัญที่จะส่งผลกระทบอย่างมากต่ออุตสาหกรรมเทคโนโลยีโดยรวม และเป็นสิ่งที่น่าจับตามองสำหรับผู้ที่สนใจในความก้าวหน้าทางเทคโนโลยี
TSMC เน้นย้ำว่ากระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรของตน มีประสิทธิภาพสูงขึ้นถึง 15% และประหยัดพลังงานได้มากถึง 30% ซึ่งนำไปสู่การพัฒนาประสิทธิภาพของเทคโนโลยีการผลิตชิปอย่างมีนัยสำคัญ นอกจากนี้ กระบวนการผลิตดังกล่าว ยังมีความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์เพิ่มขึ้น 1.15 เท่า ซึ่งเป็นผลมาจากการใช้ทรานซิสเตอร์แบบ “nanosheet” (แผ่นนาโน) ที่มีโครงสร้างแบบ “all-around gate” (GAA) และเทคโนโลยี “N2 NanoFlex” ซึ่งช่วยให้ผู้ผลิตสามารถบีบอัดเซลล์ลอจิก (logic cell) ที่แตกต่างกันในพื้นที่ขนาดเล็กที่สุดได้ ทำให้ประสิทธิภาพของเทคโนโลยีการผลิตชิปโดยรวมดีขึ้น
ด้วยการเปลี่ยนจากการใช้เทคโนโลยี FinFET แบบเดิม ไปสู่เทคโนโลยี “nanosheet” N2 โดยเฉพาะ TSMC สามารถควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าได้ดียิ่งขึ้น ซึ่งช่วยให้ผู้ผลิตสามารถปรับแต่งค่าพารามิเตอร์ต่างๆ ได้ตามกรณีการใช้งานที่แตกต่างกัน เหตุผลที่เป็นเช่นนี้ก็เพราะว่า “nanosheet” มีโครงสร้างเป็นริบบิ้นซิลิคอนแคบๆ ซ้อนกัน แต่ละริบบิ้นถูกล้อมรอบด้วยเกต (gate) ซึ่งทำให้สามารถควบคุมได้อย่างแม่นยำกว่าการใช้เทคโนโลยี FinFET